Транзисторы

 

С 16-го июня (суббота) розничный магазин работает на новом месте:

Транзистор биполярный общего применения BD139
Структура: NPN
Uкэо max: 80В
Iк max: 1.5А
h21э: 25…250
Ft: 190 МГц
Корпус: SOT-32
Аналог: КТ815А; КТ815Б; КТ815В; КТ815Г
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный общего применения
1,97 грн
Транзистор биполярный мощный BD244C
Структура: PNP
Uкэо max: 100В
Iк max:
h21э: 15…30
Ft: 3 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный мощный
3,63 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной BDX33C
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 15А
h21э: 100…750
Ft: 20 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
6,75 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной BDX53C
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max:
h21э: 100…1000
Ft: 20 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
7,10 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, дарлингтон, мощный, составной BU941ZP
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max: 15А
h21э: 300
Ft: 2 МГц
Корпус: TO-247
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, дарлингтон, мощный, составной
60,74 грн
SS9018 Транзистор биполярный высокочастотный
Структура: NPN
Uкэо max: 15В
Iк max: 0.05А
h21э: 30…200
Ft: 1.1 ГГц
Корпус: TO-92
Аналог: кт6113, кт368ам; кт368бм (зеркальная цоколевка), кт325ам; кт325бм; кт325вм (зеркальная цоколевка)
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный высокочастотный
2,37 грн
Транзистор биполярный общего применения кт209м
Структура: PNP
Uкэо max: 60В
Iк max: 0.3А
h21э: 40…120
Ft: 5 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт361а
Структура: PNP
Uкэо max: 25В
Iк max: 0.1А
h21э: 20…90
Ft: 300 МГц
Корпус: КТ-13
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт361г
Структура: PNP
Uкэо max: 35В
Iк max: 0.1А
h21э: 50…350
Ft: 250 МГц
Корпус: КТ-13
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт503е
Структура: NPN
Uкэо max: 80В
Iк max: 0.15А
h21э: 40…120
Ft: 5 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт814г
Структура: PNP
Uкэо max: 80В
Iк max: 1.5А
h21э: 30…275
Ft: 3 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
1,58 грн
Транзистор биполярный общего применения кт815б
Структура: NPN
Uкэо max: 45В
Iк max: 1.5А
h21э: 30…275
Ft: 3 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
1,58 грн
Транзистор биполярный общего применения кт815в
Структура: NPN
Uкэо max: 65В
Iк max: 1.5А
h21э: 30…275
Ft: 3 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
1,58 грн
Транзистор биполярный общего применения кт837ф
Структура: PNP
Uкэо max: 30В
Iк max: 7.5А
h21э: 50…150
Ft: 1 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
1,58 грн
Транзистор биполярный общего применения кт961а
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 1.5А
h21э: 40…100
Ft: 50 МГц
Корпус: TO-126
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,59 грн
Транзистор полевой высоковольтный, мощный IRF640 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 200В
Id: 18А
Rds(on): 0.18Ω
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, мощный
8,69 грн
Транзистор полевой высоковольтный, мощный IRF640N
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 200В
Id: 18А
Rds(on): 0.15Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, мощный
8,87 грн
Транзистор полевой высоковольтный, мощный IRF740 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 400В
Id: 10А
Rds(on): 0.55Ω
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, мощный
14,79 грн
Транзистор полевой высоковольтный IRF840 APBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 500В
Id:
Rds(on): 0.85Ω
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный
13,41 грн
Транзистор полевой изолированный, мощный IRFI540N
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 100В
Id: 20А
Rds(on): 0.052Ω
Корпус: TO-220 FullPAK
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой изолированный, мощный
20,51 грн
Транзистор полевой высоковольтный, мощный IRFP460 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 500В
Id: 20А
Rds(on): 0.27Ω
Корпус: TO-247
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, мощный
57,42 грн
Транзистор полевой общего применения КП103 Е1
Структура: MOSFET (P-канал)
Vds: 10В
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор полевой общего применения
0,20 грн

Страницы