Транзисторы

 

С 16-го июня (суббота) розничный магазин работает на новом месте:

Транзистор биполярный общего применения кт601ам
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 0.03А
h21э: 16
Ft: 40 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт602ам
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 0.075А
h21э: 20…80
Ft: 150 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: Интеграл
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,79 грн
Транзистор биполярный общего применения кт605ам
Структура: NPN
Uкэо max: 250В
Iк max: 0.1А
h21э: 10…40
Ft: 40 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,59 грн
Транзистор биполярный общего применения кт837у
Структура: PNP
Uкэо max: 30В
Iк max: 7.5А
h21э: 20…80
Ft: 1 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
1,58 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, мощный кт858а
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max:
h21э: 10
Ft: 10 МГц
Корпус: TO-220
Аналог: BU104DP
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, мощный
11,83 грн
Транзистор биполярный высоковольтный кт859а
Структура: NPN
Uкэо max: 800В
Iк max:
h21э: 10
Ft: 10 МГц
Корпус: TO-220
Аналог: 2SD841
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
11,83 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, мощный кт872а
Структура: NPN
Uкэо max: 700В
Iк max:
h21э: 6…10
Ft: 30 МГц
Корпус: TO-218
Аналог: BU508A, BU2508AF, 2SP1453
Производитель: Интеграл
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, мощный
8,69 грн
Транзистор биполярный высоковольтный кт940а1
Структура: NPN
Uкэо max: 250В
Iк max: 0.1А
h21э: 25…60
Ft: 90 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
0,59 грн
Транзистор полевой 2N7000
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 60В
Id: 0.2А
Rds(on): 1.2Ω
Корпус: TO-92
Производитель: DC Components
Тип: Транзистор полевой
0,95 грн
Транзистор полевой высоковольтный, изолированный 2sk2545
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 600В
Id:
Rds(on): 0.9Ω
Корпус: TO-220 FullPAK
Производитель: TOSHIBA
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, изолированный
26,03 грн
Транзистор полевой мощный IRF1404 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 40В
Id: 202А
Rds(on): 0.004Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
28,67 грн
Транзистор полевой мощный IRF3205 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 55В
Id: 75А
Rds(on): 0.08Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
13,61 грн
Транзистор полевой мощный IRF5210 PBF
Структура: MOSFET (P-канал)
Vds: 100В
Id: 40А
Rds(on): 0.06Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
26,03 грн
Транзистор полевой высоковольтный IRF710 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 400В
Id:
Rds(on): 3.6Ω
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный
11,04 грн
Транзистор полевой высоковольтный IRF720 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 400В
Id: 3.3А
Rds(on): 1.8Ω
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный
11,83 грн
Транзистор полевой высоковольтный IRF730 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 400В
Id: 5.5А
Rds(on):
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный
9,94 грн
Транзистор полевой высоковольтный IRF820 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 500В
Id: 2.5А
Rds(on):
Корпус: TO-220
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный
11,04 грн
Транзистор полевой высоковольтный, изолированный IRFI830 GPBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 500В
Id: 3.1А
Rds(on): 1.5Ω
Корпус: TO-220 FullPAK
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, изолированный
11,83 грн
Транзистор полевой мощный IRFP4310Z
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 100В
Id: 120А
Rds(on): 0.006Ω
Корпус: TO-247
Тип: Транзистор полевой мощный
55,22 грн
Транзистор полевой высоковольтный, мощный IRFP450 PBF
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 500В
Id: 14А
Rds(on): 0.4Ω
Корпус: TO-247
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, мощный
49,69 грн
Транзистор полевой высоковольтный, мощный IRFP9240 PBF
Структура: MOSFET (P-канал)
Vds: 200В
Id: 12А
Rds(on): 0.5Ω
Корпус: TO-247
Производитель: VISHAY
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, мощный
28,40 грн
Транзистор полевой мощный IRFZ24N
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 55В
Id: 17А
Rds(on): 0.07Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
8,69 грн
Транзистор полевой мощный IRFZ34N
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 55В
Id: 29А
Rds(on): 0.04Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
8,87 грн
Транзистор полевой мощный IRFZ44N
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 55В
Id: 49А
Rds(on): 0.0175Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
29,58 грн
Транзистор полевой мощный IRFZ48N
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 55В
Id: 64А
Rds(on): 0.014Ω
Корпус: TO-220
Производитель: International Rectifier
Тип: Транзистор полевой мощный
59,16 грн
Транзистор полевой высоковольтный, изолированный buz90af
Структура: MOSFET (N-канал)
Vds: 600В
Id: 4.5А
Rds(on): 1.6Ω
Корпус: TO-220 FullPAK
Производитель: Siemens
Тип: Транзистор полевой высоковольтный, изолированный
18,14 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, мощный 2sc5200
Структура: NPN
Uкэо max: 230В
Iк max: 15А
h21э: 35…160
Ft: 30 МГц
Корпус: 2-21F1A
Производитель: TOSHIBA
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, мощный
47,33 грн
Транзистор биполярный общего применения BC327-40
Структура: PNP
Uкэо max: 50В
Iк max: 0.5А
h21э: 250…600
Ft: 100 МГц
Корпус: TO-92
Аналог: КТ313А
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,37 грн
Транзистор биполярный общего применения BC337-40
Структура: NPN
Uкэо max: 45В
Iк max: 0.5А
h21э: 250…650
Ft: 100 МГц
Корпус: TO-92
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,35 грн
Транзистор биполярный малошумящий BC550C
Структура: NPN
Uкэо max: 45В
Iк max: 0.1А
h21э: 100…800
Ft: 250 Гц
Корпус: TO-92
Производитель: ON Semiconductor
Тип: Транзистор биполярный малошумящий
0,79 грн

Страницы