Транзисторы биполярные

Транзистор биполярный высоковольтный, изолированный, мощный BU1508AX
Структура: NPN
Uкэо max: 700В
Iк max:
h21э: 4…15
Ft: 2.5 МГц
Корпус: TO-220 FullPAK
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, изолированный, мощный
18,14 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, изолированный, мощный BU808DFX-LF
Структура: NPN
Uкэо max: 700В
Iк max:
h21э: 20…230
Ft: 5 МГц
Корпус: TO-3P(H)IS
Производитель: JOYVIRTUE
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, изолированный, мощный
86,77 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, дарлингтон, мощный, составной BU941
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max: 15А
h21э: 300
Ft: 2 МГц
Корпус: TO-3
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, дарлингтон, мощный, составной
59,16 грн
Транзистор биполярный высоковольтный BUJ100
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max:
h21э: 9…31
Ft: 100 МГц
Корпус: TO-92
Производитель: NXP
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
3,16 грн
Транзистор биполярный высоковольтный BUX87P
Структура: NPN
Uкэо max: 450В
Iк max: 0.5А
h21э: 30…125
Ft: 4 МГц
Корпус: SOT-82
Производитель: NXP
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
14,20 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, изолированный, мощный MD1802FX
Структура: NPN
Uкэо max: 600В
Iк max: 10А
h21э: 5…25
Ft: 2 МГц
Корпус: TO-3P(H)IS
Аналог: ST1802HI
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, изолированный, мощный
31,55 грн
Транзистор биполярный общего применения MJE243
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max:
h21э: 15…60
Ft: 40 МГц
Корпус: SOT-32
Производитель: ON Semiconductor
Тип: Транзистор биполярный общего применения
4,73 грн
Транзистор биполярный высоковольтный MJE340
Структура: NPN
Uкэо max: 300В
Iк max: 0.5А
h21э: 30…240
Ft: 30 МГц
Корпус: SOT-32
Аналог: KSE340
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
4,73 грн
Транзистор биполярный высоковольтный MJE350
Структура: PNP
Uкэо max: 300В
Iк max: 0.5А
h21э: 30…240
Ft: 30 МГц
Корпус: SOT-32
Аналог: KSE350
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
4,73 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, составной MPSA29G
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 0.8А
h21э: 10000
Ft: 200 МГц
Корпус: TO-92
Производитель: ON Semiconductor
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, составной
2,05 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, общего применения MPSA42
Структура: NPN
Uкэо max: 300В
Iк max: 0.5А
h21э: 25…80
Ft: 50 МГц
Корпус: TO-92
Аналог: KSP42
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, общего применения
0,95 грн
Транзистор биполярный высоковольтный MPSA44
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max: 0.3А
h21э: 50…200
Ft: 20 МГц
Корпус: TO-92
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
2,29 грн
Транзистор биполярный общего применения PN2222A
Структура: NPN
Uкэо max: 40В
Iк max: 0.5А
h21э: 35…300
Ft: 300 МГц
Корпус: TO-92
Аналог: 2N2222A
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,53 грн
Транзистор биполярный высоковольтный ST13005
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max:
h21э: 8…40
Ft: 500 кГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
7,63 грн
Транзистор биполярный высоковольтный, мощный ST13007
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max:
h21э: 5…40
Ft: 300 кГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный, мощный
11,44 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной TIP107G
Структура: PNP
Uкэо max: 100В
Iк max:
h21э: 1000
Ft: 1 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
10,25 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной TIP122
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max:
h21э: 1000
Ft: 4 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
6,23 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной TIP127
Структура: PNP
Uкэо max: 100В
Iк max:
h21э: 1000
Ft: 4 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
5,13 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной TIP142
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 10А
h21э: 500…1000
Ft: 1 МГц
Корпус: TO-247
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
22,09 грн
Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной TIP147
Структура: PNP
Uкэо max: 100В
Iк max: 10А
h21э: 500…1000
Ft: 1 МГц
Корпус: TO-247
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный дарлингтон, мощный, составной
22,87 грн
Транзистор биполярный мощный TIP35C
Структура: NPN
Uкэо max: 100В
Iк max: 25А
h21э: 15…75
Ft: 3 МГц
Корпус: TO-247
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный мощный
22,09 грн
Транзистор биполярный мощный TIP36C
Структура: PNP
Uкэо max: 100В
Iк max: 25А
h21э: 15…75
Ft: 3 МГц
Корпус: TO-247
Производитель: STM
Тип: Транзистор биполярный мощный
22,09 грн
Транзистор биполярный высоковольтный TIP50
Структура: NPN
Uкэо max: 400В
Iк max:
h21э: 30…150
Ft: 10 МГц
Корпус: TO-220
Производитель: FAIRCHILD
Тип: Транзистор биполярный высоковольтный
5,52 грн
Транзистор биполярный общего применения кт3107бм
Структура: PNP
Uкэо max: 50В
Iк max: 0.25А
h21э: 120…250
Ft: 250 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт313бм
Структура: PNP
Uкэо max: 60В
Iк max: 0.35А
h21э: 80…300
Ft: 200 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт361б
Структура: PNP
Uкэо max: 20В
Iк max: 0.1А
h21э: 50…350
Ft: 300 МГц
Корпус: КТ-13
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт361в
Структура: PNP
Uкэо max: 40В
Iк max: 0.1А
h21э: 40…160
Ft: 300 МГц
Корпус: КТ-13
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт361д
Структура: PNP
Uкэо max: 40В
Iк max: 0.05А
h21э: 20…90
Ft: 250 МГц
Корпус: КТ-13
Производитель: Россия
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт502г
Структура: PNP
Uкэо max: 40В
Iк max: 0.15А
h21э: 80…240
Ft: 5 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн
Транзистор биполярный общего применения кт502е
Структура: PNP
Uкэо max: 80В
Iк max: 0.15А
h21э: 40…120
Ft: 5 МГц
Корпус: TO-92
Тип: Транзистор биполярный общего применения
0,39 грн

Страницы